[发明专利]射频可变电容器的结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200310124889.6 | 申请日： | 2003-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1527406A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 钱相润;徐春德 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L29/00;H01G5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹;邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种使用CMOS工艺用以提高品质因数的射频(RF)可变电容器的结构以及制造这种射频可变电容器的方法。该RF可变电容器的电容可变范围在第一最小值和第一最大值之间，其结构包括第一电容器，该第一电容器的电容可变范围在大于第一最小值的第二最小值和大于第一最大值的第二最大值之间，还包括第二电容器，该第二电容器串联连接到第一电容器上，并具有固定值的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 可变电容器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种射频(RF)可变电容器的结构，该射频可变电容器的电容可变范围在第一最小值和第一最大值之间，该结构包括：第一电容器，其电容可变范围在大于第一最小值的第二最小值和大于第一最大值的第二最大值之间；和第二电容器，其串联连接到第一电容器上，并具有固定值的电容。
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