[发明专利]在半导体装置中形成金属线的方法有效
| 申请号： | 200310124741.2 | 申请日： | 2003-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1516264A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 金东俊 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种在半导体装置中形成金属线的方法。该方法包括下列步骤：在其中形成有下部布线的衬底上形成层间绝缘膜；图案化该层间绝缘膜，以形成用于形成上部布线的孔径单元，该上部布线连接至该下部布线；在给定温度下将其中形成有该孔径单元的该半导体衬底冷却；使用氢还原反应来实施清洁工艺，以便去除形成于该孔径单元侧壁上的聚合物及形成于该下部布线上的金属氧化物；在用于实施该清洁工艺的处理室内原位实施退火工艺；以及使用导电材料来掩埋该孔径单元以形成上部布线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 金属线 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体装置中形成金属线的方法，包括下列步骤：在其中形成有下部布线的半导体衬底上形成层间绝缘膜；图案化该层间绝缘膜，以形成用于形成连接至该下部布线的上部布线的孔径单元；在给定温度下将其中形成有该孔径单元的该半导体衬底冷却；使用氢还原反应来实施清洁工艺，以便去除形成于该孔径单元侧壁上的聚合物及形成于该下部布线上的金属氧化物膜；在用于实施该清洁工艺的处理室内原位实施退火工艺；以及使用导电材料来掩埋该孔径单元以形成上部布线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200310124741.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：位线的形成方法
- 下一篇：沟槽式电容器的结构及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
