[发明专利]半导体器件、动态型半导体存储器件及半导体器件的制法

摘要

本发明提供能够简化结构，且能提高可靠性的半导体器件。其特征在于，在半导体基板的主表面形成凸起形状的半导体层FIN，在该半导体层形成沟道区、源极区及漏极区。在上述半导体层的相对的侧壁的沟道区表面，形成一对第一绝缘膜Gox(12)，同时形成一对栅极电极G(12)。在上述半导体层的源极区附近设置沟槽电容TC(03)及TC(23)，将一个电极与源极区电气连接。然后，在上述一对栅极电极的形成上述第一绝缘膜的表面的相反面的表面与上述沟槽电容相邻配置的沟槽电容之间，设置膜厚比第一绝缘膜要厚的第二绝缘膜47。由于栅极电极是被栅极绝缘膜Gox与膜厚较厚的环状绝缘膜47夹住的结构，因此能够提高可靠性。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，具有存储单元，所述存储单元具有在半导体基板的主表面形成的凸起形状的半导体层、在所述半导体层的一部分形成的第一导电型的沟道区、夹住所述沟道区的两侧，在所述半导体层中形成的第二导电型的源极区及漏极区、在所述半导体层的相对的侧壁的所述沟道区表面形成的一对第一绝缘膜、在所述半导体层的相对的侧壁的所述一对第一绝缘膜表面形成的一对栅极电极、在所述半导体层的所述源极区附近设置的一个电极与所述源极区电气连接的沟槽电容、以及在所述一对栅极电极的形成所述第一绝缘膜的表面的反面侧的表面与所述沟槽电容相邻配置的沟槽电容之间形成的、膜厚比所述第一绝缘膜要厚的第二绝缘膜。