[发明专利]磁电阻元件、磁再现头和磁再现装置无效
| 申请号： | 200310124302.1 | 申请日： | 2003-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1534605A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 吉川将寿;高岸雅幸;船山知己;馆山公一;岩崎仁志;福泽英明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁电阻元件，包括磁电阻薄膜，所述磁电阻薄膜具有磁化方向基本上被钉扎在一个方向的磁化被钉扎层；磁化自由层，所述磁化自由层的磁化方向可以根据外磁场自由改变；以及非磁性中间层，所述非磁性中间层形成在磁化被钉扎层和磁化自由层之间并具有第一非金属中间层/金属中间层/第二非金属中间层的叠置结构。所述磁电阻元件还包括一对电极薄膜，所述电极薄膜设置成允许电流沿基本上垂直于磁电阻薄膜表面的方向流动并电连接到磁电阻薄膜上。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 元件 再现 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁电阻元件，包括：磁电阻薄膜，所述磁电阻薄膜包括磁化被钉扎层、磁化自由层和非磁性中间层，磁化被钉扎层的磁化方向在外磁场中基本上固定，磁化自由层的磁化方向设置成在外磁场中改变，可改变的非磁性中间层形成在磁化被钉扎层和磁化自由层之间并具有第一非金属中间层/金属中间层/第二非金属中间层的叠置结构；以及一对电极，所述电极连接到磁电阻薄膜上，并设置成沿基本上垂直于磁电阻薄膜表面的方向提供电流。
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