[发明专利]双向光可控硅芯片有效
| 申请号： | 200310123928.0 | 申请日： | 2003-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1508880A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 鞠山满;久保胜 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/747 | 分类号： | H01L29/747;H01L31/111 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在CH1一侧的一光可控硅和在CH2一侧的一光可控硅中，在一P栅极扩散区33和一N型硅衬底31之间一肖特基势垒二极管44。采用这种布置，少数载流子从P栅极扩散区33向N型硅衬底31的注入受到限制，减少了残余载流子的数目，而且整流期间仍然在N型硅衬底31中过量的载流子向相对沟道侧移动的机会也得以减少，使整流特性得到改善。因而，通过与一LED相结合，就可提供一光触发耦合器，用以触发和控制负载。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 可控硅 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种具有一对光可控硅部分的半导体芯片的双向光可控硅芯片，它包括具有第二导电类型的第一扩散区、与所述第一扩散区面对面形成并具有第二导电类型的第二扩散区，以及在所述第二扩散区内与所述第一扩散区面对面形成并且在所述第一导电类型衬底面上具有第一导电类型的第三扩散区，其特征在于，所述双向光可控硅芯片包含：形成在构成光可控硅部分的第二扩散区与所述衬底之间的肖特基势垒二极管。
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