[发明专利]半导体芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 200310123922.3 | 申请日： | 2003-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1519929A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;高山彻;丸山纯矢;大野由美子 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/07;H01L25/075;H01L25/16;H01L25/18;H01L23/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明通过使用转移技术，提供由薄膜形成的多个元件形成层集成的半导体芯片。本发明利用转移技术先暂时从衬底剥离膜厚50μm或更薄的元件形成层并转移到其他衬底上，然后再从另一个衬底剥离膜厚50μm或更薄的元件形成层并将其转移层叠到先前的元件形成层上，如此重复就可以实现常规三维组装的半导体芯片所没有实现的薄膜化，形成高集成化的半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片，它包含：在导热性衬底上提供的膜厚不大于50μm的第一元件形成层，二者之间夹有第一粘合层；在所述第一元件形成层上形成的导热性膜；在所述导热性膜上形成的膜厚不大于50μm的第二元件形成层，二者之间夹有第二粘合层。
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