[发明专利]扩张流体通道的制作方法无效
| 申请号： | 200310123717.7 | 申请日： | 2003-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1631672A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈苇霖;胡宏盛 | 申请（专利权）人： | 明基电通股份有限公司 |
| 主分类号： | B41J2/135 | 分类号： | B41J2/135;B41J2/01;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种扩张流体通道的制作方法。包括下列步骤：提供一具有一第一面及一第二面的硅基底。接着，形成一图案化牺牲层于基底的第一面上。然后，形成一结构层于基底的第一面上且覆盖该图案化牺牲层。接着，施以光刻及蚀刻工艺于该基底的第二面，以形成一流体通道，以露出该牺牲层。去除部分该牺牲层以形成一第一流体腔。最后，扩增该第一流体腔及流体通道的出口端以及去除剩余部分的该牺牲层以形成一第二流体腔。本发明利用对牺牲层多次的蚀刻步骤，在不需改变流体通道入口端大小的情况下，达到扩大流体通道出口端的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 扩张 流体 通道 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种扩张流体通道的制作方法，包括下列步骤：提供一基底，具有一第一面及一第二面，且该第二面相对于该第一面；形成一图案化牺牲层于该基底的第一面上；形成一结构层于该基底的第一面上且覆盖该图案化牺牲层；沿该基底的第二面蚀穿该基底，以形成一流体通道连接该牺牲层；去除部分该牺牲层以形成一第一流体腔；以及去除剩余部分的该牺牲层以扩增该第二流体腔。
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