[发明专利]半导体存储设备及其制造方法无效
| 申请号： | 200310123527.5 | 申请日： | 2003-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1512585A | 公开（公告）日： | 2004-07-14 |
| 发明（设计）人： | 中川隆史 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有电容的的半导体存储设备，其中电容包括具有钙钛晶体结构的铁电层，以及放置来把铁电层夹在中间的下电极和上电极，其中钙钛晶体结构通常由通式ABO3表示，包括作为占据晶格A的元素A的铅(Pb)，作为占据晶格B的元素B的锆(Zr)和钛(Ti)；其中所述铁电层在所述下电极侧上和上电极侧上都具有一区域，每一区域中Zr和Ti的比率(Zr/Ti比率)在厚度方向上等于或高于所述铁电层的中心部分的Zr/Ti比率，并且至少一个在所述下电极侧上和在上电极侧上的区域的Zr/Ti比率高于所述中心部分的Zr/Ti比率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有电容的半导体存储设备，其中电容包括具有钙钛晶体结构的铁电层，以及放置来把所述铁电层夹在中间的下电极和上电极，其中钙钛晶体结构通常由通式ABO3表示，包括作为占据晶格A的元素A的铅(Pb)，作为占据晶格B的元素B的锆(Zr)和钛(Ti)；其中，所述铁电层在所述下电极侧上和上电极侧上都具有一区域，每一区域中，Zr和Ti的比率(Zr/Ti比率)在厚度方向上等于或高于所述铁电层的中心部分的Zr/Ti比率，并且在所述下电极侧上和在上电极侧上的至少一个区域的Zr/Ti比率高于所述中心部分的Zr/Ti比率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
