[发明专利]具有多数载流子累积层作为子集电极的双极晶体管有效
| 申请号： | 200310123110.9 | 申请日： | 2003-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1512595A | 公开（公告）日： | 2004-07-14 |
| 发明（设计）人： | 蔡劲;宁德雄;欧阳齐庆 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有多数载流子累积层作为子集电极的双极晶体管。电子电路中包括的双极晶体管包括一个导电的背面电极、在该导电的背面电极上的绝缘层，以及在该绝缘层上的n型或者p型材料的半导体层。该半导体层包括用作集电极的掺杂区，以及与该掺杂区交界，用作所述绝缘层和集电极接点电极之间的透过区的重掺杂区。通过向背面电极施加偏压，在集电极的掺杂区中邻近绝缘层产生多数载流子累积层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多数 载流子 累积 作为 子集 电极 双极晶体管 | ||
【主权项】：
1.一个双极晶体管，包含有：一个导电区，作为用于接受偏压的背面电极；一个绝缘层，在该背面电极上；在该绝缘层上的第一半导体层，包含有：一个集电极，包括在该绝缘层上的第一导电类型的一个掺杂区；和一个透过区，包含有第一导电类型的重掺杂区，与该掺杂区交界，该透过区位于绝缘层和集电极接点电极之间；一个基极，包含有第二导电类型的半导体区，位于第一层的掺杂区的上面；一个发射极，包含有第一导电类型的第三半导体区，位于该基极上；和一个第一导电类型的累积层，由背面电极接收的偏压形成。
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