[发明专利]一种运用激光制作集成电路样品断面的方法无效
| 申请号： | 200310122898.1 | 申请日： | 2003-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1555090A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | 姚峰英 | 申请（专利权）人： | 上海华虹（集团）有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路制造工艺的分析检测技术领域。为了快速、准确地制作集成电路的样品断面以进行断面电镜分析，克服手工和机械制样精度低、偏差大以及聚焦离子束分析(FIB)速度慢、时间长、容易沾污样品的缺点，本发明提出一种运用激光制作集成电路样品断面的方法。具体是将高能激光束经聚焦后投射到硅片上，通过对微小区域进行快速加热，改变此区域的机械性能，与同时加在样品上的机械力相互配合，准确地在样品上产生裂纹并使样品按预定方向开裂，从而迅速、精确地得到所需要的断面。本方法制样时间和手工及机械方式相当，而精度却有很大的提高，仅略逊于FIB方式，是一种准确高效的集成电路断面样品制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 运用 激光 制作 集成电路 样品 断面 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制作集成电路样品断面的方法，其特征是，将高能激光束经聚焦后投射到硅片上，通过对微小区域进行加热，与同时加在样品上的机械力相互配合，准确地在样品上产生裂纹并使样品按预定方向开裂，从而迅速、精确地得到所需要的断面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
