[发明专利]具有延迟自动预充电功能的半导体存储器件及其相关方法无效
| 申请号： | 200310122356.4 | 申请日： | 2003-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1516192A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 李东阳 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;G11C11/4091 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;马莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 当输入带有自动预充电功能的读写指令时，半导体器件进行读写操作。直到经过预定的自动预充电延迟时间时，半导体器件才执行自动预充电操作。因此，能够在使用带有自动预充电功能的读写指令的同时，执行页面模式。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 延迟 自动 充电 功能 半导体 存储 器件 及其 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件中给存储单元的存储体预充电的方法，所述方法包括：接收传送给所述半导体存储器件的包含自动预充电功能的指令；根据接收到的指令启动定时器；和当所述定时器达到预定值时，自动给存储体预充电。
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