[发明专利]非易失存储器的具有最佳数据保留的擦除方法及器件有效
申请号: | 200310122327.8 | 申请日: | 2003-12-16 |
公开(公告)号: | CN1574297A | 公开(公告)日: | 2005-02-02 |
发明(设计)人: | 叶致锴;蔡文哲;卢道政 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/8247 | 分类号: | H01L21/8247;H01L21/8239;H01L27/115;H01L21/105;G11C16/04 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 张浩 |
地址: | 台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种非易失性存储器件及相关方法,特别是一种最佳化设计之非易失性存储器件及方法以有利地防止其俘获层之数据流失。根据本发明用于操作一非易失性存储单元之方法的较佳实施例有利地包含以下步骤:编程该存储单元、从一半导体基片注入电子至该存储单元之一俘获层中、擦除该存储单元、释放该存储单元,以及重复该擦除和释放步骤直到该存储单元之一阈值电压达到一预定值为止。对于释放步骤而言,电子可从该俘获层被释放至该存储单元之一沟道中,或是释放至该存储单元之一栅极中。根据本发明之方法更可包含验证该俘获层之状态(高或低)的步骤,以及如果该俘获层之状态未被验证,则重复该擦除和释放步骤的步骤。 | ||
搜索关键词: | 非易失 存储器 具有 最佳 数据 保留 擦除 方法 器件 | ||
【主权项】:
1.一种操作一非易失性存储单元的方法,该方法包括以下步骤:(a)编程该存储单元;(b)注入电子至该存储单元之一俘获层中;(c)擦除该存储单元;(d)释放(detrapping)该存储单元;以及(e)重复步骤(c)和(d)直到该存储单元之一阈值电压达到一预定值为止。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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