[发明专利]非易失存储器的具有最佳数据保留的擦除方法及器件有效

专利信息
申请号: 200310122327.8 申请日: 2003-12-16
公开(公告)号: CN1574297A 公开(公告)日: 2005-02-02
发明(设计)人: 叶致锴;蔡文哲;卢道政 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L21/8247 分类号: H01L21/8247;H01L21/8239;H01L27/115;H01L21/105;G11C16/04
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 张浩
地址: 台湾*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种非易失性存储器件及相关方法,特别是一种最佳化设计之非易失性存储器件及方法以有利地防止其俘获层之数据流失。根据本发明用于操作一非易失性存储单元之方法的较佳实施例有利地包含以下步骤:编程该存储单元、从一半导体基片注入电子至该存储单元之一俘获层中、擦除该存储单元、释放该存储单元,以及重复该擦除和释放步骤直到该存储单元之一阈值电压达到一预定值为止。对于释放步骤而言,电子可从该俘获层被释放至该存储单元之一沟道中,或是释放至该存储单元之一栅极中。根据本发明之方法更可包含验证该俘获层之状态(高或低)的步骤,以及如果该俘获层之状态未被验证,则重复该擦除和释放步骤的步骤。
搜索关键词: 非易失 存储器 具有 最佳 数据 保留 擦除 方法 器件
【主权项】:
1.一种操作一非易失性存储单元的方法,该方法包括以下步骤:(a)编程该存储单元;(b)注入电子至该存储单元之一俘获层中;(c)擦除该存储单元;(d)释放(detrapping)该存储单元;以及(e)重复步骤(c)和(d)直到该存储单元之一阈值电压达到一预定值为止。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200310122327.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top