[发明专利]双栅极场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200310121549.8 | 申请日： | 2003-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1510756A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | K·K·钱;G·M·科昂;M·莱昂;R·A·罗伊;P·M·所罗门;杨敏 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种双栅极场效应晶体管(DGFET)结构及其这种结构的形成方法，其中源/漏区下的寄生电容显著减少。本发明引入了两个新措施，以减小源/漏区下的寄生电容。首先，将栅极外的硅区转变成氧化物，用具有第一横向厚度的第一间隔层保护了与栅极相邻的硅凸缘。使用自对准的氧注入或其它粒种注入促进氧化。其次，除去第一间隔层，用横向厚度小于第一间隔层的横向厚度的第二间隔层代替，通过使用横向选择性外延过生长并使用现在露出的硅凸缘作为籽晶在自对准的隔离区上生长新的硅源/漏区。这样可以获得到背平面的低电容，同时可以保持控制阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双栅极场效应晶体管包括：掺杂的背平面区，具有与部分所述掺杂的背平面区邻接设置的隔离区；背栅极介质，位于不包含所述隔离区的所述掺杂的背平面区的表面部分上；含Si层，具有位于所述背栅极介质上的凸缘，每个所述凸缘包括源/漏扩展区；前栅极介质，位于部分所述含Si层上；前栅极，位于所述前栅极介质上，所述前栅极在侧壁上具有间隔层；以及源/漏区，邻接所述前栅极并在所述隔离区上，所述源/漏区与所述源/漏扩展区接触。
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