[发明专利]电光基板的制造方法、电光装置的制造方法和电光装置有效
| 申请号： | 200310121548.3 | 申请日： | 2003-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1510717A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 安川昌宏 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/84;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供可以以良好的成品率制造可以得到该的可靠性的电光基板的方法。本发明的电光装置的制造方法，是一种使用其构成为支持基板210、和具备单晶硅层(半导体层)226的半导体基板260粘贴起来的复合基板的电光基板的制造方法，包括：在支持基板210上用规定图形形成遮光层211的工序；图形化后的遮光层211上形成绝缘体层212的工序；在绝缘体层212上形成半导体层206的工序；使该半导体层206的一部分氧化以形成氧化层226a的工序；除去氧化层226a的工序，其特征在于：把氧化层226a的层厚形成得比上述绝缘体层212的层厚更小。 | ||
| 搜索关键词： | 电光 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电光基板的制造方法，是使用把支持基板和具备半导体层的半导体基板粘贴而成的复合基板的电光基板的制造方法，其特征在于包括：在基板上用预定图形形成遮光层的工序；在上述预定图形的遮光层上形成绝缘体层的工序；在上述绝缘体层上形成半导体层的工序；使上述半导体层的一部分氧化形成氧化层的工序；和除去上述氧化层的工序，把上述氧化层的层厚形成得比上述绝缘体层的层厚更小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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