[发明专利]一种团联高分子相分离的纳米双连续相结构及其应用无效
| 申请号: | 200310121460.1 | 申请日: | 2003-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN1629210A | 公开(公告)日: | 2005-06-22 |
| 发明(设计)人: | 陈登科 | 申请(专利权)人: | 陈登科 |
| 主分类号: | C08J3/00 | 分类号: | C08J3/00 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟晶 |
| 地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种团联高分子相分离的纳米双连续相结构及其应用。此纳米结构具有网状双连续且相互交叉的分离相,两相的宽度各在0.3~5纳米之间。构成此纳米结构的两分离相的其中之一是由一高分子链段以顺向排列形式所构成,而另一相则由同一团联高分子的另一高分子链段以不定形型式所构成。利用此纳米级网状双连续相所制成的材料是具有高透明性、高拉伸刚性、高坚韧性,及耐高温且易于加工的新材料。在光电高分子、薄膜高分子、吸附高分子等领域也有其应用价值。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 高分子 分离 纳米 双连 结构 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一种团联高分子相分离的纳米双连续相结构,是由该团联高分子中两不同的高分子链段分别经自我组装,由相分离所形成的双网状相互交叉的两连续分离相所构成,其中之一该连续分离相是由呈不定形形式的该高分子链段所构成,另一该连续分离相则由呈顺向排列的该高分子链段所构成,藉以形成一高分子链段束,该团联高分子可由以下的高分子结构式表示:(~~~~~~~~~~~~~~~++++B+++++B++++++B++)n其中,”++++B+++++B++++++B++”表示呈顺向排列的该高分子链段,其至少包含一个由”B”表示的具有大型侧向分子基团的单体单元(monomer unit)及/或具有弯曲立体结构的单体单元,其中”B”能使呈顺向排列的该高分子链段所形成的该高分子链段束分支;“~~~~~~~~~~~~”,表呈不定形形式的该高分子链段,其是与”++++B+++++B++++++B++”在制备温度及条件下,具有不相容性的该高分子链段;以及“n”,为0.5的整数倍,其数值范围为1-50。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陈登科,未经陈登科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200310121460.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。





