[发明专利]陶瓷膜及其制造方法、强电介质电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 200310120416.9 | 申请日： | 2003-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1510718A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 木岛健;名取荣治 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/82;H01G4/12;C04B35/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种强电介质电容器的制造方法，在基体上形成下部电极，通过在加压到2个大气压以上，且在含有体积比10％以下的氧的气氛中及100℃/分以下的升温速度的条件下，热处理含有复合氧化物的原材料体，在下部电极上，形成由构成复合氧化物的第1金属和构成该下部电极的第2金属的化合物构成的下部合金膜，然后，在下部合金膜上形成结晶化原材料体而成的陶瓷膜，在陶瓷膜上形成上部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷膜 及其 制造 方法 电介质 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷膜的制造方法，包括：通过在加压到2个大气压以上，且在含有体积比10％以下的氧的气氛中，热处理含有复合氧化物的原材料体进行，使之结晶化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200310120416.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
