[发明专利]漏极开路电路的MOSFET及其半导体集成电路器件无效
| 申请号： | 200310120414.X | 申请日： | 2003-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1510759A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 西川英敏;园田雅彦 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在传统的漏极开路电路的N沟道MOSFET中，在将正静电电荷施加在其漏极上时，不存在通过其对静电电荷进行放电的通路，导致了相当低的静电耐压。为了克服此问题，按照本发明，一种漏极开路N沟道MOSFET，具有由N型半导体层形成的漏极区、在所述漏极区中形成的P型杂质扩散层、在所述漏极区中形成以将所述P型杂质扩散层夹在中间的两个高浓度N型杂质扩散层、以及与所述P型杂质扩散层相连并与所述两个高浓度N型杂质扩散层相连的漏极电极。在将正静电电荷施加在漏极上时，寄生晶体管开始形成通过其对静电电荷进行放电的通路。 | ||
| 搜索关键词： | 开路 电路 mosfet 及其 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1、一种漏极开路N沟道MOSFET，包括：由N型半导体层形成的漏极区；在所述漏极区中形成的P型杂质扩散层；在所述漏极区中形成并将所述P型杂质扩散层夹在中间的两个高浓度N型杂质扩散层；以及与所述P型杂质扩散层相连并与所述两个高浓度N型杂质扩散层相连的漏极电极。
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