[发明专利]形成硅化镍层以及半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200310120207.4 | 申请日： | 2003-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1577768A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 具滋钦;宣敏喆;卢官钟;金旼炷 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了形成硅化镍层以及半导体器件的方法，该半导体器件包括硅化镍层，其提供了对于450℃以上的温度下的后续工艺的提高的稳定性。具体地，硅化镍层由具有小部分合金金属(如钽)的镍合金形成，并表现出降低的结块性和受阻的NiSi与NiSi2之间的相变，从而抑制了表面电阻的增大并改善了利用精细图形的效用。如所形成的那样，硅化镍层包括主要由硅和镍构成的下层、以及包含合金金属主要部分的薄的上层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 硅化镍层 以及 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在暴露的硅表面上形成硅化镍层的方法，包括：在暴露的硅表面上沉积镍合金层，镍合金包括镍和合金金属；以及使镍合金层与暴露的硅表面反应，从而形成具有上层和下层的硅化镍层，其中合金金属优先偏析在上层中，其中：合金金属不多于镍合金的10原子百分比。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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