[发明专利]半导体激光装置无效
| 申请号： | 200310119982.8 | 申请日： | 2003-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1510804A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 大渊修三 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 包于俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体激光装置具有一对包层[(102)和(105)、(107)]，其之间插入一激活层(103)。该包层中至少一层(105)、(107)除在该包层中的掺杂物外，在该包层的整个区域具有相同组份，并有与相邻部分具有不同传导类型的条状部分(107)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种具有一对包层且包层之间插入激活层(103)的半导体激光装置，其特征在于，所述包层中至少一层除在该包层中的掺杂物外，在其整个区域具有相同组份，并有与相邻部分具有不同传导类型的条状部分(107)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200310119982.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可调变激光光源的共振腔长度的设计方法
- 下一篇：原子光反馈稳频半导体激光器
