[发明专利]光电转换器件和使用光电转换器件的摄像系统有效
| 申请号: | 200310119729.2 | 申请日: | 2003-12-03 | 
| 公开(公告)号: | CN1505162A | 公开(公告)日: | 2004-06-16 | 
| 发明(设计)人: | 菊池伸 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 | 
| 主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H01L31/00;H04N5/225;H04N5/335 | 
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李德山 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | 本发明提供一种光电转换器件和使用光电转换器件的摄像系统。在累积与入射光相应电荷的光电转换区(3),并将该光电转换区来的信号电荷输入放大用场效应晶体管(7)的光电转换器件中,光电转换区(3)用势垒区(选择氧化膜(1)和沟道阻断区(2)包围其周围,在势垒区的一部分发生缺损区(溢出用沟道(9)),与缺损区相邻配置场效应晶体管的,与光电转换区的导电型同一导电型的一方主电极区。因此,不会使过剩载流子流入相邻像素或其它浮动区。 | ||
| 搜索关键词: | 光电 转换 器件 使用 摄像 系统 | ||
【主权项】:
                1.一种光电转换器件,具有累积与入射光相应的电荷的光电转换区,并将来自该光电转换区的信号电荷输入放大用场效应晶体管,其特征是所述光电转换区用势垒区包围其周围;在所述势垒区的一部分发生缺损区;与所述缺损区相邻配置所述场效应晶体管的、与所述光电转换区的导电型同一导电型的一方主电极区。
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
                
            H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





