[发明专利]矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件

摘要

本发明一种矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件，其特征在于，包括以下基本结构：共m×n个垂直腔面发射激光器单元；其中所述的垂直腔面发射激光器单元包括尺寸依次递减的三个台：底反射镜台、光腔台、和顶反射镜台，还有p电极和n电极；该光腔台制作在底反射镜台之上，该顶反射镜台制作在光腔台之上；该p型电极制作在p型重掺杂导电层上、顶反射镜台周围，且每行垂直腔面发射激光器单元的p电极相连；该n型电极呈环形制作在n型重掺杂导电层上、光腔台周围，且每列垂直腔面发射激光器单元的n电极相连。

主权项

1.一种矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件，其特征在于，包括以下基本结构：共m×n个垂直腔面发射激光器单元；其中所述的垂直腔面发射激光器单元包括尺寸依次递减的三个台：底反射镜台、光腔台、和顶反射镜台，还有p电极和n电极；该底反射镜台包括：一半绝缘衬底；一下半导体/半导体氧化物布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在衬底上表面，为载流子复合产生的光子提供垂直反射镜面，同时隔离阵列各行n电流；一n型重掺杂导电层，该n型导电层制作在下布拉格反射镜上，以提供n电流的侧向注入通道；该光腔台包括：一n型掺杂下含铝层；一不掺杂下限制层，该限制层制作在下含铝层上，以提供载流子限制；一不掺杂有源层，该有源层制作在下限制层上，载流子在其中复合发光；一不掺杂上限制层，该上限制层制作在有源层上，以提供载流子限制；一p型掺杂上含铝层，该上含铝层制作在上限制层上，并且被部分氧化，为注入p电流提供侧向限制；一p型重掺杂导电层，该导电层制作在上含铝层上，以提供p电流的侧向注入通道；该顶反射镜台包括：一上半导体/半导体氧化物布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在p型重掺杂导电层上，为载流子复合产生的光子提供垂直反射镜面，同时隔离阵列各行p电流；该p型电极呈环形，制作在p型重掺杂导电层上、顶反射镜台周围，且每行垂直腔面发射激光器单元的p电极相连；该n型电极呈环形，制作在n型重掺杂导电层上、光腔台周围，且每列垂直腔面发射激光器单元的n电极相连。