[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

在衬底的电容器接触区之间的第一绝缘层上形成具有第一导电图形和位线掩模图形的位线。在位线上形成第二氧化绝缘层和形成接触图形，以打开对应于部分第二绝缘层的存储节点接触孔区域。在刻蚀部分的侧壁上形成第一隔片。刻蚀第二和第一绝缘层，以形成露出电容器接触区的存储节点接触孔。同时，在第一隔片底下形成第二绝缘层的第二隔片。第二导电层填充存储节点接触孔，以形成存储节点接触焊盘。由于位线掩模图形减小的厚度位线掩模图形损失减小，以及由于第二隔片位线负载电容量减小。

主权项

1.一种半导体器件，包括：具有电容器接触区的半导体衬底；在半导体衬底上形成的第一绝缘层；在电容器接触区之间的第一绝缘层上形成的位线，其中位线包括第一导电图形和形成在第一导电图形上的位线掩模图形；在从位线掩模图形的顶端到第一导电图形上的位线掩模图形的预定部分的位线侧壁上部形成的第一隔片，其中每个第一隔片包括相对于氧化物系材料具有刻蚀选择性的材料；在第一隔片底下的位线侧壁上形成的第二隔片，其中每个第二隔片包括部分第二绝缘层，第二绝缘层包括氧化物系材料；以及用于在存储节点接触孔形成的存储节点接触焊盘的第二导电层，其中每个存储节点接触孔与第一和第二隔片的表面接触，并穿通第一绝缘层，以露出电容器接触区。