[发明专利]介电陶瓷及其制造方法和叠层陶瓷电容器有效
| 申请号： | 200310118632.X | 申请日： | 2003-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1505072A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 中村友幸;小中宏泰;佐野晴信 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/30;H01B3/12;C04B35/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 黄永奎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种介电陶瓷，它适于构成在还原性气氛中烧成而得到的叠层陶瓷电容器中介电陶瓷层的介电陶瓷，即使将其薄层化介电常数的温度依存性也不随着薄层化程度而恶化，而且可靠性优良。本发明的介电陶瓷，是以ABO3(A是Ba等，B是Ti等。)作为主要成分并含有稀土元素的一种介电陶瓷，就构成其70％以上的晶粒21而言，观察其断面时，5～70％的截面积，由稀土元素固溶的稀土元素固溶区域所占据，10～80％的断面外周，由稀土元素未固溶的稀土元素非固溶区域所占据。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 及其 制造 方法 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种介电陶瓷，是以ABO3(A是Ba或Ba和一部分Ba被置换成Ca和Sr中至少一种元素，B是Ti或Ti和一部分Ti被置换成Zr和Hf中至少一种元素。)作为主要成分并含有稀土元素的介电陶瓷，其特征在于：就构成所说的介电陶瓷70％以上的晶粒，观察其断面时，5～70％的截面积由稀土元素固溶的稀土元素固溶区域所占据，10～80％的断面外周由稀土元素未固溶的稀土元素非固溶区域所占据。
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