[发明专利]垂直磁记录介质、其制造方法以及磁记录-再现装置无效
申请号: | 200310118358.6 | 申请日: | 2003-11-25 |
公开(公告)号: | CN1505006A | 公开(公告)日: | 2004-06-16 |
发明(设计)人: | 岩崎刚之;彥坂和志;及川壮一;中村太;酒井浩志;清水谦治;坂脇彰 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;昭和电工株式会社 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李德山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及垂直磁记录介质、其制造方法以及磁记录-再现装置,其中的垂直磁记录介质(10)包括在280-450℃下用磁层形成材料形成的垂直磁层(2),所述磁层形成材料包含至少一种从包括钴、铂、铬、钼和钨的组中选择的添加成分,垂直磁层(2)构造为包括相互之间被晶粒边界分离开的多个磁晶粒,并且提供在晶粒边界中偏析所述添加成分的垂直磁层(2)。 | ||
搜索关键词: | 垂直 记录 介质 制造 方法 以及 再现 装置 | ||
【主权项】:
1.一种制造垂直磁记录介质(10)的方法,其特征在于包括:通过使用包含至少一种从包括钴、铂、钼和钨的组中选择的添加成分的磁层形成材料,在280-450℃下在非磁性基片(1)上形成磁层(2),所述磁层构造为包括相互之间被晶粒边界分离开的多个磁晶粒,并提供在晶粒边界中偏析所述添加成分的垂直磁层。
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