[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置无效
| 申请号： | 200310118222.5 | 申请日： | 2003-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1505113A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 王斌;三村裕一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/00;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理方法，可提高判断装置的运转状态、被处理体的处理状态时的精度。在对晶片进行等离子体处理时，利用光学测量器(120)取得从等离子体发出的光的光谱作为光学数据。然后，使用从存储多个发光种的发光光谱作为基准数据的数据库(206)中发出的各发光种的基准数据，由所取得的光学数据求出各发光种的定量数据。接着，监视各发光种的定量数据，根据各发光种的定量数据的变化来判断等离子体处理装置的运转状态、晶片的处理状态。由此，根据由宽范围的波长带构成的等离子体的发光光谱，可以判断装置的运转状态、晶片的处理状态。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理方法，在利用等离子体处理装置对处理室内的被处理体进行等离子体处理时，解析从等离子体发出的光，根据其解析结果，监视等离子体处理装置的运转状态和/或被处理体的处理状态，其特征在于：具有：在对所述被处理体进行等离子体处理时、取得从等离子体发出的光的发光光谱作为光学数据的工序；使用从存储多个发光种的发光光谱作为基准数据的数据库发出的各发光种的基准数据、由所取得的所述光学数据求出各发光种的定量数据的工序；和监视所述各发光种的定量数据、根据各发光种的定量数据的变化、判断等离子体处理装置的运转状态和/或被处理体的处理状态的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
