[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种MOSFET器件的制作方法，包括：在半导体衬底上覆盖栅极介电层，在栅极介电层上方形成导电栅极电极；然后可以增加氧化硅的毯覆层；在栅极电极周围的氧化硅层上方可以选择形成氮化硅的环；然后执行两个预清洁步骤，首先淀积化学氧化物去除气体，用吸附反应物膜覆盖器件，当吸附反应物膜与栅极介电层反应时，除去除栅极电极之外的栅极介电层以在位于衬底表面上的栅极电极的基部处形成氧化硅的圆形角，然后在源极/漏极区上方淀积一层或两层原位掺杂的硅层，以衬底上方形成单个或叠层外延突起源极/漏极区并突出于栅极介电层的表面之外；然后使掺杂剂从突起源极/漏极区扩散进入衬底。

主权项

1.一种形成场效应晶体管的方法，包括如下步骤：提供器件，包括覆盖具有导电栅极电极的半导体衬底的栅极介电层，该导电栅极电极具有形成于栅极介电层上方的侧壁，该器件具有在栅极电极的侧壁边缘之间延伸的、位于栅极介电层与栅极电极之间的界面；在栅极电极的底部处形成栅极介电层的圆形表面；淀积覆盖器件的硅层，以形成突出于栅极介电层的外表面水平之外的突起源极区和突起漏极区；掺杂突起源极和漏极区；以及使来自掺杂的突起源极区和掺杂的突起漏极区的掺杂剂扩散进入衬底，以在其中形成具有位于栅极电极下方的沟道区的源极区和漏极区。