[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200310117790.3 | 申请日： | 2003-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1510755A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;须川成利;寺本章伸;赤堀浩史;二井启一 | 申请（专利权）人： | 大见忠弘 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/78;H01L21/302;H01L21/304;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在一种形成在具有主(110)结晶平面取向的硅表面上的半导体器件中，使硅表面平整，使得表面算术平均差Ra不大于0.15nm，优选地，不大于0.09nm，实现制造高迁移率的n－MOS晶体管。通过重复在氧基气氛中自牺牲氧化物膜的淀积工艺和自牺牲氧化物膜的去除工艺、或通过在脱气的H2O或低OH浓度气氛中清洗硅表面，或用氢或重氢使硅表面完全终结(terminating)，可以取得这种平整的硅表面。用各向同性氧化可以实现自牺牲氧化物膜的淀积处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有预定结晶平面取向的硅表面的半导体器件，其中：硅表面具有不大于0.09nm的规定的表面算术平均差Ra。
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