[发明专利]用于八英寸重掺砷直拉硅单晶制造的上部热场有效

专利信息
申请号: 200310117760.2 申请日: 2003-12-30
公开(公告)号: CN1556256A 公开(公告)日: 2004-12-22
发明(设计)人: 李立本;田达晰;马向阳;刘培东;杨德仁 申请(专利权)人: 宁波立立电子股份有限公司
主分类号: C30B15/14 分类号: C30B15/14;C30B29/06
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 张法高
地址: 315800浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种用于八英寸重掺砷硅单晶制造的上部热场。它具有保温罩,保温罩内侧设有内导气筒,并固定在保温罩底部,保温罩外侧设有上盖板,与保温罩上部相接,并放置在支承筒上。保温罩为中空圆锥台。本发明增强了熔体表面气流的吹扫作用,使18英寸以上的大热场熔体表面挥发产生的细小颗粒被有效地吹离熔体上部;本发明的新型热场采用保温罩加内导气筒的双层结构加强了对单晶的冷却作用,从而增大了用18英寸以上的大热场拉晶时固液界面处的温度梯度G。本发明解决了使用18英寸以上的普通大热场不能拉制八英寸重掺砷硅单晶的难题,取得了良好的效果。
搜索关键词: 用于 英寸 重掺砷直拉硅单晶 制造 上部
【主权项】:
1.一种用于八英寸重掺砷硅单晶制造的上部热场,其特征在于它具有保温罩(23),保温罩内侧设有内导气筒(19),并固定在保温罩底部,保温罩外侧设有上盖板(22),与保温罩上部相接,并放置在支承筒(17)上,采用导气内筒和保温罩双层结构保温和导流。
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