[发明专利]一种在金属基底上形成织构外延膜的方法有效

专利信息
申请号: 200310117384.7 申请日: 2003-12-12
公开(公告)号: CN1546725A 公开(公告)日: 2004-11-17
发明(设计)人: 王三胜;陈胜;韩征和;刘莉 申请(专利权)人: 清华大学;北京英纳超导技术有限公司
主分类号: C23C18/12 分类号: C23C18/12;H01L39/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种直接在金属基底上形成织构外延膜的方法,属于超导材料制备技术领域。其工艺过程依次为:金属基带轧制,制备涂膜溶液,在轧制金属基带上涂膜,加温使涂层热解成相形成织构缓冲层和织构基底。本发明提供的这种工艺方法的优越性在于,将传统的轧制金属基带织构形成和缓冲层织构形成两步工艺合成为一步工艺,这样可以大大的简化工艺,避免两步工艺中为了在金属基带中预先形成双轴织构而必须进行的高温热退火处理所带来的一系列问题。本方法重复性好,成本低廉,可以广泛应用于超导、铁电、光电子薄膜的制备。
搜索关键词: 一种 金属 基底 形成 外延 方法
【主权项】:
1、一种在金属基底上形成织构外延膜的方法,其特征在于,所述方法的工艺过程为:金属基带轧制→涂膜溶液制备→在轧制金属基带上涂膜→加温促使涂层热解成相形成织构外延层和织构基底。
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