[发明专利]高性能垂直PNP晶体管及其制法有效
| 申请号： | 200310116326.2 | 申请日： | 2003-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1514494A | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | 彼得·B·格雷;杰弗里·B·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/732;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高性能垂直PNP晶体管及其制法。所得的高性能垂直PNP晶体管包括发射极区，发射极区包括硅和锗，并且其PNP发射极与NPN晶体管的基极共享一层硅单层。该方法向传统的用于CMOS和双极器件的制造工艺添加了两个额外的掩模步骤，因此实现了对整个工艺流程的最小附加。所得的结构明显增强了PNP器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 垂直 pnp 晶体管 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直PNP晶体管，包括：发射极区，包括硅和锗。
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