[发明专利]制造多重阈值的方法和工艺

摘要

提供了用来制备具有容易调节的多重阈值电压的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的方法。提供了一种双金属层(代表本发明的第一类方法)或者金属合金(代表本发明的第二类方法)的硅质化。同时也描述了由本方法提供的具有多重阈值电压的CMOS器件。

主权项

1.一种制备金属栅CMOS器件的方法，该方法包括以下步骤：提供一种结构，其包括位于含硅层顶部的多个的图案化的栅极区，每一个所述图案化的栅极区包括至少一个图案化的多晶硅区；在第一种预定数目的图案化的所述叠层栅极区上制备第一种金属，该第一种金属与所述图案化的多晶硅相接触；在所述第一种金属和第二种预定数目的所述图案化的叠层栅上制备第二种金属，其中在第二种预定数目的图案化的叠层栅中的所述第二种金属与所述图案化的多晶硅区相接触；以及退火，以在所述第一种和第二种金属与下面的硅区之间发生反应，并因而形成硅化物区，这样，所述第一种预定数目的图案化的叠层栅极区包括了第一种和第二种金属的合金硅化物，且所述第二种预定数目的图案化的叠层栅极区包括第二种金属的硅化物。