[发明专利]漏电流少且绝缘耐压高的薄膜电容器的形成方法

摘要

本发明是一种在下层电镀电极上夹持电介质并形成上层电镀电极的薄膜电容器的形成方法，首先，在形成于基板上的下层电镀种膜上，使其位于特定范围地形成下层电镀电极。在基板表面整体上，形成覆盖下层电镀电极的电介质。接着，利用光刻技术，在电介质上形成确定覆盖下层电镀电极的电介质图案的抗蚀层，将未被该抗蚀层覆盖的电介质及位于该电介质下层的下层电镀种膜除去，使基板从该除去部分露出。然后，将抗蚀层除去，使下层电镀电极上的电介质露出。而且，横跨露出的电介质周围与基板，形成决定电容器容量的保护电桥之后，在该保护电桥及电介质上隔着上层电镀种膜形成上层电镀电极。由此，可以形成漏电流少且高耐压的薄膜电容器。

主权项

1.一种薄膜电容器的形成方法，是在下层电镀电极上夹持电介质并形成上层电镀电极的方法，其特征在于，具有：在形成于基板整体上的下层电镀种膜上使其位于特定范围地形成下层电镀电极的工序；在基板表面整体上形成覆盖上述下层电镀电极的电介质的工序；在上述电介质上利用光刻技术形成确定覆盖上述下层电镀电极的电介质图案的抗蚀层的工序；除去未被上述抗蚀层覆盖的电介质及其下层的上述下层电镀电极，使上述基板露出的工序；除去上述抗蚀层，使上述下层电镀电极上的电介质露出的工序；横跨上述下层电镀电极上的电介质周围与上述露出的基板，形成决定电容器容量的保护电桥的工序；以及在该保护电桥及上述电介质上隔着上层电镀种膜形成上层电镀电极的工序。