[发明专利]表面改质方法有效
| 申请号： | 200310115486.5 | 申请日： | 2003-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1503331A | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 北川英夫;铃木伸昌;内山信三 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种在短处理时间内生成能够充分减小氧化硅薄膜与硅基板界面的氮浓度且提高氧化硅膜中的氮浓度、减少损伤的高品位的氧氮化硅薄膜的表面改质方法。在利用等离子体对被处理基体的表面进行改质的方法中，其特征在于，该方法具有以下将被处理基体的温度调节至200℃以上、400℃以下的步骤；向等离子体处理室内导入含有氮原子的气体或含有氮原子的气体与惰性气体的混合气的步骤；将上述等离子体处理室内的压力调节至13.3Pa以上的步骤；在上述等离子体处理室内生成等离子体的步骤；以及以10eV以下的能量使上述等离子体中的离子入射到上述被处理基体中的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 方法 | ||
【主权项】：
1.一种表面改质方法，该方法是利用等离子体对被处理基体的表面进行改质的方法，其特征在于，该方法中具有以下几个步骤：将被处理基体的温度调节至200℃以上、400℃以下的步骤；向等离子体处理室内导入含有氮原子的气体或含有氮原子的气体与惰性气体的混合气的步骤；将上述等离子体处理室内的压力调节至13.3Pa以上的步骤；在上述等离子体处理室内生成等离子体的步骤；以及以10eV以下的能量使上述等离子体中的离子入射到上述被处理基体中的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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