[发明专利]具有反平行耦合的引线/传感器重叠区的磁阻传感器无效
| 申请号： | 200310114890.0 | 申请日： | 2003-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1538386A | 公开（公告）日： | 2004-10-20 |
| 发明（设计）人： | 哈德瓦尔·辛格·吉尔 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 提供一种具有反平行耦合的引线/传感器重叠区的磁阻传感器，包括与第一和第二引线层同自旋阀传感器层相交叠处的第一和第二无源区中自由层反平行耦合的铁磁偏置层。由第一和第二引线层之间的间隔限定的磁轨宽度区中偏置层的铁磁材料转变成无磁性氧化层，使磁轨宽度区中的自由层响应于来自磁盘的信号场而旋转。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 平行 耦合 引线 传感器 重叠 磁阻 | ||
【主权项】：
1.一种自旋阀(SV)传感器，具有第一和第二无源区以及横向地设置在所述第一和第二无源区之间的中心磁轨宽度区，所述SV传感器包括：钉扎层；铁磁自由层；夹在所述钉扎层和所述自由层之间的隔离层；所述第一和第二无源区中的铁磁偏置层；横向地设置在第一和第二无源区中铁磁偏置层之间的所述中心磁轨区中的无磁性氧化物层；以及反平行耦合层，夹在所述自由层以及所述铁磁偏置层之间，用于提供第一和第二无源区中铁磁偏置层之间的强反平行耦合。
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