[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200310114840.2 | 申请日： | 2003-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1501462A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木薰;今井宪次;蓧木裕之;野间崇;和久井元明 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/304;H01L21/78;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包括：在形成多个集成电路的半导体基板上，通过绝缘树脂，粘合覆盖所述多个集成电路形成区域而形成叠层体的第一工序；至少保留所述支撑基体的一部分而将包含所述叠层体的半导体基板与所述绝缘树脂一起切削的第二工序；切削所述支撑基体而分割所述叠层体的第三工序，而且，一边冷却切削包含所述叠层体的半导体基板的刻模锯一边进行第二工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包含：在形成多个集成电路的半导体基板上，通过绝缘树脂，粘合覆盖所述多个集成电路的形成区域的支撑基体，形成叠层体的第一工序；至少保留所述支撑基体的一部分，将包含所述叠层体的半导体基板与所述绝缘树脂一起切削的第二工序；切削所述支撑基体，分割所述叠层体的第三工序，所述第二工序，一边冷却切削包含所述叠层体的半导体基板的刻模锯一边进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
