[发明专利]在半导体器件中形成隔离膜的方法有效
| 申请号： | 200310114810.1 | 申请日： | 2003-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1499605A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 李圣勋 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在半导体器件中形成隔离膜的方法。在形成衬垫氧化膜和衬垫氮化膜的堆叠结构以暴露隔离区域中的半导体衬底的工艺中，在邻近衬底表面的衬垫氧化膜和衬垫氮化膜的底部侧壁上形成尾形突出部分，并且在蚀刻衬底时，使用突出部分作为抗蚀刻膜使沟槽的顶角成为圆形。因此，可以防止电场集中于沟槽的顶角上，抑制漏电的产生。因此，可改善该工艺的可靠性及器件的电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体器件中形成隔离膜的方法，包括步骤：在半导体衬底上顺序形成衬垫氧化膜和衬垫氮化膜；移除隔离区域上的衬垫氮化膜和衬垫氧化膜，从而在隔离区域的顶角处形成尾形突出部分；蚀刻隔离区域的半导体衬底，同时使用突出部分作为抗蚀刻膜，以形成其顶角形成为圆形的沟槽；以及用绝缘材料掩埋沟槽，然后移除半导体衬底上的衬垫氮化膜和衬垫氧化膜以形成隔离膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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