[发明专利]高速半导体激光器的配置电路及制作方法有效
| 申请号： | 200310111601.1 | 申请日： | 2003-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1553548A | 公开（公告）日： | 2004-12-08 |
| 发明（设计）人： | 邹行川;郑林 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/026 |
| 代理公司： | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人： | 潘杰 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种高速半导体激光器的配置电路及制作方法，其特点是：配置电路中电感器L与电阻器R4并联，并联后的一端通过电容器C2接地，并联后的另一端分别与电阻器R1－R3的一端相连接，电阻器R1的另一端通过电容器C1与高速半导体激光器前级的驱动模块输出的射频信号相连，电阻器R2的另一端通过电容器C3接地，电阻器R3的另一端与半导体激光器的输入端相连接。本发明还提供了上述高速半导体激光器配置电路的制作方法。本发明的有益效果是，通过设计高速激光器的配置电路，获得良好的射频信号至激光器的传输通路和宽带阻特性偏置电流通路，从而保证激光器工作到10Gb/s的高数据速率(甚至40Gb/s速率)。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 半导体激光器 配置 电路 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种高速半导体激光器的配置电路，其特征在于：配置电路由电容器(C1-C3)、电阻器(R1-R3)和电感器(L)构成，其中电感器(L)的一端连接Ibias(偏置电流)信号并通过电容器(C2)接地，电感器(L)的另一端分别与电阻器(R1-R3)的一端相连接；电阻器(R1)的另一端通过电容器(C1)与高速半导体激光器前级的驱动模块输出的射频信号相连；电阻器(R2)的另一端通过电容器(C3)接地；电阻器(R3)的另一端与半导体激光器(LD)的输入端相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉电信器件公司，未经武汉电信器件公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200310111601.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
