[发明专利]侧面进光的双台形高速光探测器的连体式双管芯有效
| 申请号: | 200310111559.3 | 申请日: | 2003-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN1547261A | 公开(公告)日: | 2004-11-17 |
| 发明(设计)人: | 丁国庆 | 申请(专利权)人: | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/105 |
| 代理公司: | 武汉宇晨专利事务所 | 代理人: | 黄瑞棠 |
| 地址: | 430074湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种侧面进光的双台形高速光探测器的连体式双管芯;涉及一种光探测器;具体地说,涉及光探测器的管芯结构。该管芯是在掺铁的半绝缘半导体InP衬底1上,通过有机金属化学汽相淀积技术,沿着垂直方向逐次生长缓冲层2、下光波导层3、光吸收层4、上光波导层5、光限制层6和接触层7;通过刻蚀技术,使之形成孤岛状上、下两个台形部分;上台形部分包括3至7层,其水平面为(半椭圆-矩形-半椭圆)形状;下台形部分是第2层,为矩形形状。最后通过解理技术,把连体式管芯分成2个侧面进光的光探测器管芯。该管芯具有结构简单、体积小、进光平面解理容易、芯区面积可微调、组装耦合方便、和共面波导连接兼容等特点。 | ||
| 搜索关键词: | 侧面 双台形 高速 探测器 体式 双管 | ||
【主权项】:
1、一种侧面进光的双台形高速光探测器的连体式双管芯,其特征在于:在半绝缘InP衬底(1)上,依次为缓冲层(2)、下光波导层(3)、光吸收层(4)、上光波导层(5)、光限制层(6)和接触层(7);该管芯由上、下两个台形部分组成;上台形部分包括3至7层,其水平面为半椭圆-矩形-半椭圆形状;下台形部分是第2层,其水平面为矩形形状;其电极(8)和共面波导连线兼容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





