[发明专利]面阵电荷耦合器件超分辨率成象技术中的快速算法无效
| 申请号: | 200310110699.9 | 申请日: | 2003-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN1555097A | 公开(公告)日: | 2004-12-15 |
| 发明(设计)人: | 吕海宝;罗武胜;曹聚亮;周卫红;楚兴春;李冠章;谭晓波;谌廷政;徐涛 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H01L21/82 |
| 代理公司: | 湖南兆弘专利事务所 | 代理人: | 傅俏梅 |
| 地址: | 410073湖南省长沙市*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | 一种面阵电荷耦合器件超分辨率成象技术中的快速算法,本发明涉及利用对同一目标的有相互位移的多帧图象进行处理得到一帧分辨率更高图象的面阵电荷耦合器件超分辨率成象技术领域。其特征在于它建立了像素级的邻域双线性插值图象降质模型,采用四维非稀疏矩阵存储模型系数,避免了对大型稀疏矩阵的存储和处理;对亚像素位移量进行量化处理,大大降低了计算过程对存储空间的需求;给出改进Cimmino迭代算法,加快了迭代收敛速度,减小计算量,适合PC机或DSP等嵌入式系统的实现,为高分辨率面阵CCD的超分辨率成象问题应用于工程实际,研制超分辨率成象系统解决了其中的两个关键技术问题。 | ||
| 搜索关键词: | 电荷耦合器件 分辨率 成象 技术 中的 快速 算法 | ||
【主权项】:
1、一种面阵电荷耦合器件超分辨率成象技术中的快速算法,其特征在于它包括下述步骤:1)建立像素级双线性插值图象降质模型:设p帧观察图象分辨率为m×n,分辨率提高因子为L,建立包含空间移不变邻域模糊、加性噪声、欠采样等因素的像素级双线性插值图象降质模型,观察图象中的每一个像素值为该像素在高分辨率图象中对应点的一个领域内的像素值的加权平均,根据图象间的配准关系,得到观察图象中任一像素C,其坐标为(k1,l′1),经配准后在理想图象X中对应点C′,其坐标为(k′2,l′2),其中k′2=k2+δk,l′2=l2+δl,0≤δk,δl<1,k2,l2为整数,再由双线性插值公式Y k 1 , l 1 = ( 1 - δ k - δ l + δ k δ l ) X k 2 , l 2 ′ + ( δ k - δ k δ l ) X k 2 + 1 , l 2 ′ ]]>+ ( δ l - δ k δ l ) X k 2 , l 2 + 1 ′ + ( δ k δ l ) X k 2 + 1 , l 2 + 1 ′ ]]> 其中X k , l ′ = Σ i = - 1 l Σ j = - 1 l h i , j X k + i , l + j ]]> k=k2,k2+1;l=l2,l2+1合并上两式得Y k 1 , l 1 = Σ i = - 1 2 Σ j = - 1 2 h i , j ′ X k 2 + i , l 2 + j = h ′ ′ · × X Ω k 2 , l 2 ]]> 其中h′i,j在h确定的情况下仅与δk,δl有关;h″和
为4×4矩阵,Ωk2,l2为式中X的计算窗口,“·×”符号表示两个同型矩阵对应元素之积的和;2)对线性方程组: Ax=b其中A=(a1,a2,Λ,am)T∈Kmn;a1,a2,Λ,am∈Kn;b=(b1,b2,Λ,bm)T∈Km;x=(x1,x2,Λ,xn)T∈Kn,K为数域,包含实数域R和复数域C采用迭代式:x j k + 1 = x j k + λ k q j Σ i = 1 q j b s i - a s i T x k | | a s i | | 2 a s i , j - - - j = 1 : n ; 0 < λ k < 2 ]]> 其中qj为A中第j列不为0的元素的个数;1<si<m,为A的第j列中第i个不为0的元素所在行的行数;3)将亚像素位移量δk和δl量化到小数点后一位或两位,则δk和δl的取值分别有10种或100种取值,组合起来有100种或10000种取值,对每一种取值计算方程组的系数,得到一张系数表,将其提前计算好存储起来,迭代求方程组时计算出量化后的δk和δl,然后通过查表得到方程组系数;4)建立与X维数相同的权值矩阵W和修正矩阵ΔX,其中W中每个元素为对应修正矩阵ΔX中像素点在每次迭代中已被修改的次数,设g为迭代次数,算法步骤为:(1)初始值任意,设为0:g=0,Xg=0;(2)权值矩阵和修正矩阵置0矩阵:W=Φ,ΔX=Φ;(3)对观察图象的每个像素计算在理想高分辨率图象中的对应点坐标,从而得到k2、δk、l2、δl,再算出h″、Ωk2,l2,并且ΔX i , j = W i , j W i , j + 1 ΔX i , j + 1 W i , j + 1 [ Y k 1 l 1 - h ′ ′ · × X g Ω k 2 , l 2 ] h i , j ′ / | | h ′ ′ ( : ) | | 2 2 i , j ∈ Ω k 2 , l 2 ]]> Wi,j=Wi,j+1 i , j ∈ Ω k 2 , l 2 ]]> (4)Xg+1=Xg+λgΔX,g=g+1上述算法在并行处理环境中把观察图象的像素分为P组,P为并行计算的路数,对每一组都需定义权值矩阵和修正矩阵,然后对各组分别处理,得到相应的Wi和ΔXi(i=1∶P)X k , l g + l = X k , l g + λ g Σ i = 1 P ( ( W k , l i / Σ j = 1 P W k , l j ) ΔX k , l i ) , k = 1 : Lm ; l = 1 : Ln ]]>
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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