[发明专利]一种在亚微米数字集成电路上的形成钛硅化合物方法

摘要

本发明公开了一种在亚微米级集成电路中的硅片上形成钛硅化合物的方法，能够使用现有设备完成在亚微米级的集成电路中形成钛硅化合物。本发明的方法是在硅片上形成金属钛的薄膜层以后，即在其上进行一次氮化钛的积淀，使得在氮气环境下进行热处理时，其能够阻隔金属钛与氮气的反应，而且可以阻隔硅的扩散，防止在栅侧墙上形成钛硅化合物而导致栅与源/漏之间短路。

主权项

1.一种在亚微米集成电路的硅片上形成钛硅化合物的方法，其步骤为：第一步，在硅片上进行积淀前的表面清洗，以利于钛与硅发生反应；第二步，在清洗过的硅片表面进行钛的积淀，形成一层钛薄膜层；第三步，在钛薄膜的表面进一步积淀一定厚度的氮化钛；第四步，在氮气的环境下进行快速热处理，使钛、硅反应，促使形成二硅化钛；第五步，进行第一次清洗，除去剩余的钛；第六步，进行相变热处理，使得二硅化钛由C-49相转化为C-54相，进一步增加其稳定性；第七步，进行第二次清洗，除去剩余的钛。