[发明专利]用于减小I/O NMOS反短沟道效应的离子注入有效
| 申请号： | 200310109227.1 | 申请日： | 2003-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1627488A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;那炜;郭永芳;肖胜安;姚泽强 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于减小I/O NMOS反短沟道效应的选择性沟道离子注入，其工艺步骤为：首先，在P沟道和APT离子注入后，淀积2000多晶硅；第二步，采用I/ONMOS LDD光刻版刻去该管栅区的多晶硅；第三步，淀积氧化硅700；第四步，湿法腐蚀氧化硅800，形成宽度为700的两个内侧墙，随后进行调整阈值电压的离子注入；最后，除去多晶和氧化物，继续正常的工艺流程，进行栅氧化层淀积。通过选择性硼注入，硼的分布比常规的沟道全注入要均匀，消除了沟道两端的峰状分布。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减小 nmos 沟道 效应 离子 注入 | ||
【主权项】：
1.一种用于减少I/O NMOS反短沟道效应的选择性离子局部沟道离子注入的方法，其操作步骤为：第一步，在P沟道和APT离子注入后，淀积多晶硅；第二步，采用I/O NMOS LDD光刻版刻去该管栅区的多晶硅；第三步，淀积氧化硅；第四步，采用湿法腐蚀氧化硅，形成一定厚度的两个内侧墙，随后进行调整阈值电压的离子注入，其中腐蚀氧化硅的厚度略大于所淀积的氧化硅厚度；第五步，除去多晶和氧化物，继续正常的工艺流程，进行栅氧化层淀积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200310109227.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
