[发明专利]集成电路硅片表面颗粒清除方法无效
| 申请号： | 200310109225.2 | 申请日： | 2003-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1627484A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 倪立华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/326 | 分类号： | H01L21/326 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路硅片表面颗粒清除方法，该方法将硅片表面带电，使其表面及其颗粒带上同一电荷；在硅片表面正对面设置一反电极，将带电颗粒吸引到该反电极上，达到将颗粒清除的目的。本发明不需要用化学药液和离子水，可以减少有害化学药液及水的使用量，有利环境保护，同时也比较经济。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 硅片 表面 颗粒 清除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路硅片表面颗粒清除方法，其特征在于：它包括如下步骤：(1)在硅片表面设置一直流正电源或负电源，在硅片表面正对面设置一反电极；(2)接通硅片表面的电源，使其表面及颗粒带上同一电荷；(3)断开硅片表面的电源，接通反电极电源，将带电颗粒吸引到反电极上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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