[发明专利]在半导体制程中改善足部效应缺陷的方法无效
| 申请号： | 200310109108.6 | 申请日： | 2003-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1624882A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 廖国彰;吴永皓;罗思齐;郭明升;王刚宁;席华萍;刘智敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明关于一种于半导体制程中，图形重制时可改善足部效应缺陷(Footing Defect)的方法，包括：首先，形成一氮氧化硅(SiON)层，并于氮氧化硅层表面上形成光阻层。在光阻显影(Develop)后，发现有些问题，需进行REWORK(重制/返工)。REWORK(重制/返工)时，先去除光阻(Photo－resistAshing)。接着，再以光刻胶去除剂(EKC Solvent)清理氮氧化硅层表面。之后，在氮氧化硅层表面上进行氧处理(OxygenTreatment)步骤。最后，返回PHOTO曝光。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制程中 改善 足部 效应 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在半导体制程中改善足部效应缺陷的方法，至少包含：形成一氮氧化硅层；在该氮氧化硅层表面上形成第一光阻层；显影及除去该第一光阻层；以溶剂清理该氮氧化硅层表面，；进行氧处理，是在该氮氧化硅层表面进行氧处理以增加该氮氧化硅层表面的含氧量；在该氮氧化硅层表面上形成第二光阻层，以在半导体制程中改善足部效应缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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