[发明专利]含有金属有机化合物层的近场超分辨光存储用掩膜无效
| 申请号： | 200310108969.2 | 申请日： | 2003-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1547199A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王阳;顾冬红;徐文东;魏劲松;张锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G11B11/24 | 分类号： | G11B11/24;G11B7/24;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种含有金属有机化合物层的近场超分辨光存储用掩膜，依次包括保护层、金属有机化合物层和保护层，其特征在于所述的保护层均由氮化硅、或硫化锌、或硫化锌和二氧化硅的混合材料构成；所述的金属有机化合物层由四氰基对苯醌二甲烷银、或四氰基对苯醌二甲烷铜、或四氰基对苯醌二甲烷铝、或四氰基对苯醌二甲烷铂、或四氰基对苯醌二甲烷金构成。本发明的掩膜具有对入射光响应时间快、对记录介质和基片的热损伤小、近场光信号强等优点，它可以达到记录读出超分辨记录点的目的。特别适用于光致变色或热转变温度相对较低的有机或无机记录介质。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 金属 有机化合物 近场 分辨 存储 用掩膜 | ||
【主权项】：
1、一种含有金属有机化合物层的近场超分辨光存储用掩膜，依次包括保护层、金属有机化合物层和保护层，其特征在于所述的保护层均由氮化硅、或硫化锌、或硫化锌和二氧化硅的混合材料构成；所述的金属有机化合物层由四氰基对苯醌二甲烷银、或四氰基对苯醌二甲烷铜、或四氰基对苯醌二甲烷铝、或四氰基对苯醌二甲烷铂、或四氰基对苯醌二甲烷金构成。
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