[发明专利]一种控制STI CMP工艺中残余氮化硅厚度稳定性的方法无效
| 申请号： | 200310108840.1 | 申请日： | 2003-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1545141A | 公开（公告）日： | 2004-11-10 |
| 发明（设计）人： | 金虎;张震宇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 浅槽隔离技术(STI)是随着深亚微米集成电路技术的发展，而产生的一种新兴的场区隔离技术。该技术具有特征尺寸小、集成度高、隔离效果好的特点。但是，该技术同时存在工艺复杂、控制困难的问题，其中较为突出的是在CMP工艺中的Dishing和Erosion的问题，对浅槽隔离工艺的重要指标‘overhead’产生影响，为了控制‘Overhead’在一定的范围内，要求CMP工艺后有稳定的氮化硅厚度，本发明采用自动生产补偿系统和终点检测系统相结合的控制方法，解决了只采用终点检测系统的误检出和最大时间自动终止的问题，也消除了只采用自动生产补偿系统无法控制批次内的稳定性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 sti cmp 工艺 残余 氮化 厚度 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
1、一种控制在浅槽隔离技术中CMP工艺后残余氮化硅厚度稳定性的方法，其特征在于采用自动生产控制补偿系统与抛光机台本身自带终点检测系统相结合的办法，控制硅片批次间和批次内残余氮化硅厚度稳定性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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