[发明专利]一种制备p型ZnO晶体薄膜的方法无效
| 申请号： | 200310108466.5 | 申请日： | 2003-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1542916A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;徐伟中;赵炳辉;朱丽萍;周婷;黄靖云 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/40 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的制备p型氧化锌晶体薄膜的方法，步骤如下：先将衬底表面清洗后放入金属有机化学汽相沉积生长室中，生长室真空度抽到至少10－2Pa，然后加热衬底，使衬底温度为350～950℃，控制生长室内部压力在10－2－10000Pa范围里，用高纯载气将高纯有机锌源输入生长室中，同时将高纯N2O和高纯NO气体输入生长室，有机锌源、N2O和NO的摩尔流量分别为0.1～1×103μmol/min、1～1×105μmol/min和1～1×105μmol/min，锌源、氧源和氮源在衬底反应生长，得到掺杂浓度为2.0×1015cm－3－5.0×1019cm－3,电阻率为0.1－1×104Ω·cm的p型氧化锌薄膜。本发明制备方法具有重复性和稳定性好，制得的p型氧化锌薄膜晶体质量高，均匀性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 zno 晶体 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备p型ZnO晶体薄膜的方法，其特征是步骤如下：先将衬底表面清洗后放入金属有机化学汽相沉积生长室中，生长室真空度抽到至少10-2Pa，然后加热衬底，使衬底温度为350～950℃，控制生长室内部压力在10-2-10000Pa范围里，用纯度＞99.999％的高纯载气将纯度＞99.999％的高纯有机锌源输入生长室中，同时将纯度＞99.9％的高纯N2O和纯度＞99％的高纯NO气体输入生长室，有机锌源、N2O和NO的摩尔流量分别为0.1～1×103μmol/min、1～1×105μmol/min和1～1×105μmol/min，锌源、氧源和氮源在衬底反应生长，得到掺杂浓度为2.0×1015cm-3-5.0×1019cm-3，电阻率为0.1-1×104Ω·cm的p型氧化锌薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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