[发明专利]减少金属线缺陷的改进工艺无效
| 申请号： | 200310108280.X | 申请日： | 2003-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1540728A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 缪炳有 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种减少金属线缺陷的改进工艺。包括：1)减小Al层上下的Ti/TiN厚度；2)同时减小Al层厚度，降低溅射温度；3)提高Al靶中Cu的含量；4)提高刻蚀后金属线的退火温度，使Ti和Al反应生成TiAl3在HDP－CVD之前完成。通过以上改进，可以抑制Al空洞的大量出现。本技术工艺简单，操作方便，产量高，非常适用于大生产；同时也提高了互连的可靠性和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 金属线 缺陷 改进 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种减少金属线缺陷的改进工艺，其特征在于：1)上下层Ti/TiN溅射：厚度为(5-15)/(20-30)纳米；2)Al层溅射：Al靶材成分为Al-Cu，其中Cu占0.8-1.2％质量比，溅射温度为250-350℃，溅射膜厚度为400-440纳米；3)退火处理：刻蚀后金属线退火，温度为420-460℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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