[发明专利]光刻式只读存储器的资料写入方法

摘要

本发明提供一种使用不同剂量的离子注入来进行资料写入的光刻式只读存储器，其步骤包括：在一具有数个栅极结构的半导体基底上，使用依据客户(使用者)提供的情报所设计出的光刻，进行不同的离子注入剂量，来产生不同的电压输出值，再将不同的电压值定义为(00)、(01)、(10)、(11)，来作为位的输出，因此本发明可缩减完成一特定资料记录所需的内存面积大小，且降低位成本。

主权项

1.一种光刻式只读存储器的资料写入方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体基底，其上有多个栅极结构；在该半导体基底上形成一图案化第一光阻层，其中该图案化第一光阻层覆盖该栅极结构，并暴露出第一编码区；以该图案化第一光阻层为一光刻，对该第一编码区进行第一离子注入步骤，而后移除该图案化第一光阻层；在该半导体基底上形成一图案化第二光阻层，其中该图案化第二光阻层覆盖该栅极结构与该第一编码区，并暴露出第二编码区；以该图案化第二光阻层为一光刻，对该第二编码区进行第二离子注入步骤，而后移除该图案化第二光阻层；在该半导体基底上形成一图案化第三光阻层，其中该图案化第三光阻层覆盖住该栅极结构、第一编码区与第二编码区，并暴露出第三编码区；以该图案化第三光阻层为一光刻，对该第三编码区进行第三离子注入步骤，而后移除该图案化第三光阻层；在该半导体基底上形成一图案化第四光阻层，其中该图案化第四光阻层覆盖住该栅极结构、第一编码区、第二编码区与第三编码区，并暴露出第四编码区；以该图案化第四光阻层为一光刻，对该第四编码区进行第四离子注入步骤；以及移除该图案化第四光阻层。