[发明专利]利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法无效
| 申请号： | 200310106426.7 | 申请日： | 2003-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1545132A | 公开（公告）日： | 2004-11-10 |
| 发明（设计）人： | 于英仪;张荣;修向前;谢自力;俞慧强;郑有炓;顾书林;沈波;江若琏;施毅;韩平;朱顺明;胡立群 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01F41/22 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法，氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料，在电炉中，包括N2管道和NH3管道、设有金属镓源－HCl－N2管道，包括一路金属镓源－HCl－N2管道，并将反应物GaCl－N2均匀输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区，添加一路HCl气体，将金属Mn载入反应区域，使得Mn可以参加到GaN合成反应过程中。通过质量流量计来控制反应中携带Mn的HCl的流量，就可以控制Mn的载入量。本发明可以获得完全的GaMnN和GaN薄膜材料。HVPE生长GaMnN合金薄膜具有生长速率高、可以生长大面积薄膜，反应物中Mn的掺杂量可控等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 氢化物 外延 制备 gamnn 铁磁性 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法，其特征是以氢化物气相外延生长GaMnN铁磁性薄膜材料，电炉中包括N2管道和NH3管道、设有金属镓源-HCl-N2管道，包括一路金属镓源-HCl-N2管道，并将反应物GaCl-N2均匀输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区，添加一路HCl气体，将金属Mn载入反应区域，使得Mn可以参加到GaN合成反应过程中，通过质量流量计来控制反应中携带Mn的HCl的流量，就可以控制Mn的载入量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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