[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 200310105615.2 | 申请日： | 2003-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1614792A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 何晓光;周春伟;黄尊祥;黄光辉 | 申请（专利权）人： | 厦门三安电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00;H01L21/28 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种提高半导体器件接触电极表面质量的方法，该方法在芯片制造过程中采用电极上生长一层保护层，在完成金属退火后将保护层去除。这样在电极上有保护层保护，避免了在工艺过程或退火过程中电极被杂质沾污。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：一个基板；基板一侧的第一种导电性金属接触；基板另一侧有外延的半导体器件结构；在半导体器件结构上有若干种导电性金属接触；此半导体器件在退火过程中，金属接触上全部或部分有一层牺牲性的保护层。
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